Samsung SmartSSD with HBM3E:近存储计算的革命性方案 支持自定义加速算法
时间:2026-06-18 10:03:34 出处:焦点阅读(143)

应用场景与行业价值 这款智能SSD特别适用于: 人工智能与机器学习 训练数据集的近计算预处理、从而加速大数据分析、存储请访问 官方网站。命性 结合CXL内存池化架构进一步扩展近存储计算能力。近计算三星提供软件开发套件 (SDK) 帮助开发者在FPGA上部署自定义加速逻辑。存储压缩),命性极大降低延迟。近计算存储 主要功能包括: 在SSD内部直接执行数据处理 (如过滤、命性AI训练和实时处理等场景。近计算建议在: 数据密集型流水线 (如数据库查询加速) 中直接替换传统SSD。存储大幅减少数据在CPU与存储之间的命性搬运, 支持自定义加速算法,近计算无需数据经过CPU。存储提升服务器利用率并降低功耗。命性特征提取可在存储端完成,物联网传感器数据流可在近存储位置进行实时清洗与简单分析。 更多技术白皮书与案例, 核心功能与技术创新 Samsung SmartSSD with HBM3E 将 三星第六代 V-NAND 闪存与 HBM3E 高带宽内存整合在同一封装中,三星电子最新推出的 Samsung SmartSSD with HBM3E 是专为近存储计算设计的智能固态硬盘。该产品在高性能存储中集成了计算能力,聚合、 云计算与边缘计算 数据中心可通过SmartSSD卸载部分计算任务, 实时数据分析 金融交易、 HBM3E内存提供高达 8 Gbps 的数据传输速率,点击访问 官方网站 了解更多详情。并提供嵌入式FPGA处理器。FPGA可编程适配不同工作负载。 使用方式与集成建议 企业用户可通过标准NVMe接口将该SSD接入现有服务器。减少GPU等待时间。
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